DMG2302UQ-13

DMG2302UQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMG2302UQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
180289 pcs
Referenzpreis
USD 0.1451/pcs
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DMG2302UQ-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMG2302UQ-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 594.3pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 800mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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