BSS8402DWQ-7

BSS8402DWQ-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
BSS8402DWQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V/50V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
169482 pcs
Referenzpreis
USD 0.1604/pcs
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BSS8402DWQ-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSS8402DWQ-7
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V, 50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 115mA, 130mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Leistung max 200mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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