BSS816NW L6327

BSS816NW L6327 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSS816NW L6327
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3638 pcs
Referenzpreis
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BSS816NW L6327 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSS816NW L6327
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 3.7µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 2.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 500mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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