BSS138DWQ-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	BSS138DWQ-7
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Leistung max	200mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	Einzelheiten
BSS101	INF	BSS101 INF TO-92 New Original Stocks	Einzelheiten
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	Einzelheiten
BSS110-E6288	SIEMENS	BSS110-E6288 SIEMENS SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
BSS119	I	BSS119 I SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten