BSS119 E7796 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSS119 E7796
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	170mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	78pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	360mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-SOT23-3
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	Einzelheiten
BSS101	INF	BSS101 INF TO-92 New Original Stocks	Einzelheiten
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	Einzelheiten
BSS110-E6288	SIEMENS	BSS110-E6288 SIEMENS SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
BSS119	I	BSS119 I SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Einzelheiten