BSS123W-7-F

BSS123W-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer
BSS123W-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
210000 pcs
Referenzpreis
USD 0.088/pcs
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BSS123W-7-F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSS123W-7-F
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 170mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 170mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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