| Artikelnummer | BAV23C-7-F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 400mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 50ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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BAV20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 | Einzelheiten |
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BAV20 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 | Einzelheiten |
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BAV20,113 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | Einzelheiten |
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BAV20,133 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | Einzelheiten |
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BAV20,143 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | Einzelheiten |
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BAV20-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | Einzelheiten |
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BAV20-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | Einzelheiten |
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BAV200 | VISHAY | Silicon Epitaxial Planar Diodes | Einzelheiten |
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BAV200-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | Einzelheiten |
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BAV200-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | Einzelheiten |
