2N7002AQ-13

2N7002AQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
2N7002AQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
475000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0416/pcs
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2N7002AQ-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N7002AQ-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 180mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 370mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 115mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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