Artikelnummer | CEDM8001 TR |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.66nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 3V |
Vgs (Max) | 10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 100mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-883 |
Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |