2N5551 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
2N5551 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
600mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
160V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
200mV @ 5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
Leistung max |
625mW |
Frequenz - Übergang |
300MHz |
Betriebstemperatur |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Paket / Fall |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Lieferantengerätepaket |
TO-92 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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