| Artikelnummer | 2N5060 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Spannung - Aus Zustand | 30V |
| Spannung - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Aktuell - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max) | 1.7V |
| Strom - Ein Zustand (Es (AV)) (Max) | - |
| Aktuell - Ein Zustand (Es (RMS)) (Max) | 800mA |
| Aktuell - Halten (Ih) (Max) | 5mA |
| Aktuell - Aus Status (Max) | 1µA |
| Strom - Nicht Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | - |
| SCR-Typ | Sensitive Gate |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Einzelheiten |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Einzelheiten |
