2N3866 - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	2N3866
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	30V
Frequenz - Übergang	500MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	-
Leistung max	5W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	400mA
Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket	TO-39
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2N0303	INFINEON	2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks	Einzelheiten
2N03L10	INFINEON	2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks	Einzelheiten
2N1008	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Einzelheiten
2N1008A	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Einzelheiten
2N1008B	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Einzelheiten
2N1011	EXSHINE	germanium transistors	Einzelheiten
2N1016B	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Einzelheiten
2N1016C	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Einzelheiten
2N1016D	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Einzelheiten
2N1057	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Einzelheiten