• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2N3253
2N3253

2N3253 - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer
2N3253
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 75V 500NA TO39
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2N3253 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
10750 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2N3253

2N3253 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N3253
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 75V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 500mA, 1V
Leistung max -
Frequenz - Übergang 175MHz
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 2N3253

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
2N0303 2N0303 INFINEON 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks Einzelheiten
2N03L10 2N03L10 INFINEON 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks Einzelheiten
2N1008 2N1008 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008A 2N1008A EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008B 2N1008B EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1011 2N1011 EXSHINE germanium transistors Einzelheiten
2N1016B 2N1016B Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016C 2N1016C Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016D 2N1016D Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1057 2N1057 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten