• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › 2N2453
2N2453

2N2453 - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer
2N2453
Hersteller
Central Semiconductor Corp
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN 50MA 30V TO78-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2N2453 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2N2453.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4307 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2N2453

2N2453 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N2453
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Leistung max 600mW
Frequenz - Übergang 60MHz
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-78-6 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-78-6
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 2N2453

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
2N0303 2N0303 INFINEON 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks Einzelheiten
2N03L10 2N03L10 INFINEON 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks Einzelheiten
2N1008 2N1008 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008A 2N1008A EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1008B 2N1008B EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten
2N1011 2N1011 EXSHINE germanium transistors Einzelheiten
2N1016B 2N1016B Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016C 2N1016C Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1016D 2N1016D Microsemi Corporation NPN TRANSISTOR Einzelheiten
2N1057 2N1057 EXSHINE alloy-junction germanium transistors Einzelheiten