NE85639R-T1 - CEL

Artikelnummer	NE85639R-T1
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Gewinnen	13.5dB
Leistung max	200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-143R
Lieferantengerätepaket	SOT-143R
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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