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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › 2SC3357-T1-RF-A
2SC3357-T1-RF-A

2SC3357-T1-RF-A - CEL

Artikelnummer
2SC3357-T1-RF-A
Hersteller
CEL
Kurze Beschreibung
SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SC3357-T1-RF-A PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2SC3357-T1-RF-A.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4045 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2SC3357-T1-RF-A

2SC3357-T1-RF-A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SC3357-T1-RF-A
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 6.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 1GHz
Gewinnen 10dB
Leistung max 1.2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket SOT-89
Gewicht -
Ursprungsland -

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