TP2540N3-G-P002 - Microchip Technology

Artikelnummer	TP2540N3-G-P002
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	400V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	86mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	125pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	740mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 Ohm @ 100mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TP2540N3-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3	Einzelheiten
TP2540N3-G-P002	Microchip Technology	MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3	Einzelheiten
TP2540N8-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3	Einzelheiten