2N6661

2N6661 - Microchip Technology

Artikelnummer
2N6661
Hersteller
Microchip Technology
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1802 pcs
Referenzpreis
USD 11.41/pcs
Unser Preis
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2N6661 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2N6661
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 90V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 350mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 24V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 6.25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-39
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gewicht -
Ursprungsland -

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