| Artikelnummer | AOT12N65_001 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 278W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO220 | Einzelheiten |
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AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | Einzelheiten |
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AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | Einzelheiten |
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AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | Einzelheiten |
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AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | Einzelheiten |
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AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | Einzelheiten |
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AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | Einzelheiten |
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AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | Einzelheiten |
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AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | Einzelheiten |
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AOT10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | Einzelheiten |
