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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › AOT10N60L
AOT10N60L

AOT10N60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Artikelnummer
AOT10N60L
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
AOT10N60L PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
AOT10N60L.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
40958 pcs
Referenzpreis
USD 0.6534/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern AOT10N60L

AOT10N60L detaillierte Beschreibung

Artikelnummer AOT10N60L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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