AOB414_001 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Artikelnummer	AOB414_001
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6.6A (Ta), 51A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 50V
Vgs (Max)	±25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.5W (Ta), 150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
AOB403	AOS	AOB403 AOS TO263 New Original Stocks	Einzelheiten
AOB405	AOS	AOB405 AOS TO263 New Original Stocks	Einzelheiten
AOB409L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 60V 5A TO263	Einzelheiten
AOB411L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 60V 8A TO263	Einzelheiten
AOB411L_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 60V 8A TO263	Einzelheiten
AOB412L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263	Einzelheiten
AOB414	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK	Einzelheiten
AOB414L	EXSHINE	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	Einzelheiten
AOB414_001	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK	Einzelheiten
AOB416	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK	Einzelheiten