| Artikelnummer | AOB411L_001 |
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| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta), 78A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6400pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 187W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D²Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AOB403 | AOS | AOB403 AOS TO263 New Original Stocks | Einzelheiten |
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AOB405 | AOS | AOB405 AOS TO263 New Original Stocks | Einzelheiten |
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AOB409L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 60V 5A TO263 | Einzelheiten |
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AOB411L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 60V 8A TO263 | Einzelheiten |
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AOB411L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 60V 8A TO263 | Einzelheiten |
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AOB412L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263 | Einzelheiten |
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AOB414 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK | Einzelheiten |
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AOB414L | EXSHINE | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Einzelheiten |
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AOB414_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK | Einzelheiten |
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AOB416 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK | Einzelheiten |
