• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › PXAC210552ND-V1-R5
PXAC210552ND-V1-R5

PXAC210552ND-V1-R5 - Cree/Wolfspeed

номер части
PXAC210552ND-V1-R5
производитель
Cree/Wolfspeed
Краткое описание
RF MOSFET LDMOS DUAL PG-HB1SOF-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
PXAC210552ND-V1-R5 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
5312 pcs
Справочная цена
USD 30.98262/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку PXAC210552ND-V1-R5

PXAC210552ND-V1-R5 Подробное описание

номер части PXAC210552ND-V1-R5
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 1.805GHz ~ 2.17GHz
Усиление 6.5dB
Напряжение - испытание -
Текущий рейтинг 1µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест -
Выходная мощность 52.8W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол PG-HB1SOF-4
Пакет устройств поставщика PG-HB1SOF-4
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ PXAC210552ND-V1-R5

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
PXAC210552ND-V1-R5 PXAC210552ND-V1-R5 Cree/Wolfspeed RF MOSFET LDMOS DUAL PG-HB1SOF-4 подробности
PXAC210552NDV1R5XUMA1 PXAC210552NDV1R5XUMA1 Infineon Technologies IC RF LDMOS FET 55V HB1SOF-4 подробности