| номер части | VSIB660-E3/45 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 2.8A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 950mV @ 3A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 600V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, GSIB-5S |
| Пакет устройств поставщика | GSIB-5S |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
VSIB620 | VISHAY | Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers | подробности |
|
VSIB620-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 6A 200V SGL BRIDGE 4SIP | подробности |
|
VSIB640 | VISHAY | Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers | подробности |
|
VSIB640-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 6A 400V SGL BRIDGE 4SIP | подробности |
|
VSIB660 | VISHAY | Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers | подробности |
|
VSIB660-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 6A 600V SGL BRIDGE 4SIP | подробности |
|
VSIB680 | VISHAY | Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers | подробности |
 |
VSIB680-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S | подробности |
|
VSIB6A20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 6A 200V SGL BRIDGE 4SIP | подробности |
|
VSIB6A40-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 6A 400V SGL BRIDGE 4SIP | подробности |
