VS-GP400TD60S - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-GP400TD60S
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT, Trench
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	758A
Мощность - макс.	1563W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.52V @ 15V, 400A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	200µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	-
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Пакет устройств поставщика	Dual INT-A-PAK
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-GP100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	подробности
VS-GP250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 380A 893W SOT-227	подробности
VS-GP300TD60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	подробности
VS-GP400TD60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT	подробности