VS-150MT060WDF - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	VS-150MT060WDF
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	-
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	138A
Мощность - макс.	543W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.48V @ 15V, 80A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	14nF @ 30V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	12-MTP Module
Пакет устройств поставщика	MTP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
VS-150EBU02	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN 200V 150A POWIRTAB	подробности
VS-150EBU02HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GP 200V 150A POWERTAB	подробности
VS-150EBU04	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN 400V 150A POWIRTAB	подробности
VS-150EBU04HF4	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GP 400V 150A POWERTAB	подробности
VS-150K10A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AA	подробности
VS-150K20A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA	подробности
VS-150K30A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA	подробности
VS-150K40A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA	подробности
VS-150K40AM	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA	подробности
VS-150K60A	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA	подробности