• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Диоды - выпрямители - массивы › V20120C-M3/4W
V20120C-M3/4W

V20120C-M3/4W - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части
V20120C-M3/4W
производитель
Vishay Semiconductor Diodes Division
Краткое описание
DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
V20120C-M3/4W Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Диоды - выпрямители - массивы
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
35389 pcs
Справочная цена
USD 0.7623/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку V20120C-M3/4W

V20120C-M3/4W Подробное описание

номер части V20120C-M3/4W
Статус детали Active
Конфигурация диода 1 Pair Common Cathode
Тип диода Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) 120V
Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод) 10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если 900mV @ 10A
скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr) -
Текущий - обратный утечек @ Vr 700µA @ 120V
Рабочая температура - Соединение -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-220-3
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ V20120C-M3/4W

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
V20120C V20120C VISHAY Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A подробности
V20120C-E3/4W V20120C-E3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220 подробности
V20120C-M3/4W V20120C-M3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB подробности
V20120CHM3/4W V20120CHM3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB подробности
V20120S V20120S VISHAY High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A подробности
V20120S-E3/4W V20120S-E3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB подробности
V20120S-M3/4W V20120S-M3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB подробности
V20120SG V20120SG VISHAY High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A подробности
V20120SG-E3/4W V20120SG-E3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB подробности
V20120SG-M3/4W V20120SG-M3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB подробности