UGB8HTHE3/81 - Vishay Semiconductor Diodes Division

номер части	UGB8HTHE3/81
Статус детали	Active
Тип диода	Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	500V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.75V @ 8A
скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	50ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	30µA @ 500V
Емкость @ Vr, F	-
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика	TO-263AB
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
UGB8AT	VISHAY	Ultrafast Rectifier	подробности
UGB8AT-E3/81	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB	подробности
UGB8ATHE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB	подробности
UGB8ATHE3/81	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB	подробности
UGB8BT	VISHAY	Ultrafast Rectifier	подробности
UGB8BT-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB	подробности
UGB8BT-E3/81	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB	подробности
UGB8BTHE3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB	подробности
UGB8BTHE3/81	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB	подробности
UGB8CT	VISHAY	Ultrafast Rectifier	подробности