SUD19N20-90-T4-E3 - Vishay Siliconix

номер части	SUD19N20-90-T4-E3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	19A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	51nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1800pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252, (D-Pak)
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SUD19N20-90	VISHAY	SUD19N20-90 VISHAY DPAK(T.. New Original Stocks	подробности
SUD19N20-90-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 19A DPAK	подробности
SUD19N20-90-T4-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 19A TO252	подробности
SUD19N20-90_08	VISHAY	N-Channel 200-V (D-S) 175 ∑C MOSFET	подробности