SQS411ENW-T1_GE3 Подробное описание
номер части |
SQS411ENW-T1_GE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
P-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
40V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
16A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
27.3 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
50nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
3191pF @ 25V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
53.6W (Tc) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® 1212-8W |
Упаковка / чехол |
PowerPAK® 1212-8W |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SQS411ENW-T1_GE3