SQS405EN-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQS405EN-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	75nC @ 8V
Vgs (Макс.)	±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2650pF @ 6V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	39W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® 1212-8
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SQS401EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 16A	подробности
SQS401ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212	подробности
SQS405EN-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	подробности
SQS405ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212	подробности
SQS407ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W	подробности