SQM40022EM_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQM40022EM_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.63 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	160nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	9200pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263-7
Упаковка / чехол	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SQM40010EL_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK	подробности
SQM40014EM_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7	подробности
SQM40016EM_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V	подробности
SQM40022EM_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V	подробности
SQM40022E_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 40V	подробности
SQM40031EL_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK	подробности
SQM40061EL_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 40V TO-263	подробности
SQM40081EL_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET AUTO P-CHAN 40V D2PAK	подробности
SQM40N10-30_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 40A TO263	подробности
SQM40N15-38_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 40A TO263	подробности