| номер части | SQM120N06-3M5L_GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 120A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 14700pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 29A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SQM120N02-1M3L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 120A TO263 | подробности |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | подробности |
 |
SQM120N04-1M4L_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V D-S 175C MOSFET | подробности |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | подробности |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | подробности |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | подробности |
|
SQM120N06-06_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | подробности |
|
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | подробности |
|
SQM120N10-09_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | подробности |
|
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | подробности |
