SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SQD07N25-350H_GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SQD07N25-350H_GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
222740 pcs
Справочная цена
USD 0.7392/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3 Подробное описание

номер части SQD07N25-350H_GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1205pF @ 25V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 71W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-252AA
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SQD07N25-350H_GE3