SQA470EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQA470EJ-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2.25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	440pF @ 20V
Vgs (Макс.)	±12V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	13.6W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6 Single
Упаковка / чехол	PowerPAK® SC-70-6
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SQA470EEJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70	подробности
	SQA470EJ-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V POWERPAK SC-70-6	подробности