SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SQ2315ES-T1_GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET P-CHAN 12V SOT23
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SQ2315ES-T1_GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
88520 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3 Подробное описание

номер части SQ2315ES-T1_GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 870pF @ 4V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SQ2315ES-T1_GE3