SQ1470AEH-T1_GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SQ1470AEH-T1_GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	5.2nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	450pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±12V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.3W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-363, SC70
Упаковка / чехол	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SQ1470AEH-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70	подробности
	SQ1470EH-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70	подробности