SIS472ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIS472ADN-T1-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	44nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1515pF @ 15V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	28W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8
Упаковка / чехол	PowerPAK® 1212-8
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SIS472ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212	подробности
	SIS472DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8	подробности