| номер части | SIRA12DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2070pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | +20V, -16V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.5W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 10A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SO-8 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SIRA10BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V | подробности |
|
SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | подробности |
|
SIRA12BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V | подробности |
|
SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | подробности |
|
SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8 | подробности |
|
SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8 | подробности |
|
SIRA16DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8 | подробности |
|
SIRA18ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO | подробности |
|
SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 | подробности |
 |
SIRA18DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8 | подробности |
