| номер части | SIR802DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1785pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SO-8 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SIR800ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8 | подробности |
 |
SIR800ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V POWERPAK SO8 SNG | подробности |
|
SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | подробности |
|
SIR800DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8 | подробности |
 |
SIR802DP | VIS | SIR802DP VIS VFDFPN.. New Original Stocks | подробности |
|
SiR802DP-T1-E3 | VISHAY | SiR802DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks | подробности |
|
SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | подробности |
|
SIR804DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | подробности |
|
SIR808DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK | подробности |
