SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SIR470DP-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SIR470DP-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
20162 pcs
Справочная цена
USD 1.3514/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3 Подробное описание

номер части SIR470DP-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 155nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5660pF @ 20V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол PowerPAK® SO-8
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIR470DP-T1-GE3