SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

номер части
SIR182DP-T1-RE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SIR182DP-T1-RE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
193805 pcs
Справочная цена
USD 0.84956/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SIR182DP-T1-RE3

SIR182DP-T1-RE3 Подробное описание

номер части SIR182DP-T1-RE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3250pF @ 30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 69.4W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Упаковка / чехол PowerPAK® SO-8
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIR182DP-T1-RE3