SIR182DP-T1-RE3 Подробное описание
номер части |
SIR182DP-T1-RE3 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
60A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
7.5V, 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
2.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.6V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
64nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
3250pF @ 30V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
69.4W (Tc) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® SO-8 |
Упаковка / чехол |
PowerPAK® SO-8 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIR182DP-T1-RE3