| номер части | SIHU7N60E-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 680pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 78W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-251 |
| Упаковка / чехол | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
SIHU2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK | подробности |
|
SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | подробности |
|
SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | подробности |
 |
SIHU3N50DA-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK | подробности |
;;3.jpg "SIHU4N80E-GE3") |
SIHU4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | подробности |
|
SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | подробности |
|
SIHU5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | подробности |
|
SIHU6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 | подробности |
|
SIHU6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK | подробности |
|
SIHU6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 800V TO-251 | подробности |
