SIHP120N60E-GE3 - Vishay Siliconix

номер части	SIHP120N60E-GE3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	45nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1562pF @ 100V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	179W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SIHP100N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO-220AB	подробности
SIHP10N40D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB	подробности
SIHP10N40D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB	подробности
SIHP11N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB	подробности
SIHP120N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO-220AB	подробности
SIHP12N50C-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB	подробности
SIHP12N50E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB	подробности
SIHP12N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB	подробности
SIHP12N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB	подробности
SIHP12N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB	подробности