SIHJ10N60E-T1-GE3 Подробное описание
| номер части |
SIHJ10N60E-T1-GE3 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
10A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
50nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
784pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) |
±30V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
89W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
360 mOhm @ 5A, 10V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка / чехол |
PowerPAK® SO-8 |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIHJ10N60E-T1-GE3
