SIHG16N50C-E3 - Vishay Siliconix

номер части	SIHG16N50C-E3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	68nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1900pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	250W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 8A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247AC
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SIHG100N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO247AC	подробности
SIHG11N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC	подробности
SIHG120N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V TO247AC	подробности
SIHG14N50D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC	подробности
SIHG14N50D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC	подробности
SIHG15N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC	подробности
SIHG16N50C-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC	подробности
SIHG17N60D-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC	подробности
SIHG17N60D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC	подробности
SIHG17N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC	подробности