SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SIHD6N62E-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SIHD6N62E-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
35076 pcs
Справочная цена
USD 0.7247/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3 Подробное описание

номер части SIHD6N62E-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 620V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 34nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 578pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 78W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 3A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D-PAK (TO-252AA)
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIHD6N62E-GE3