| номер части | SIE812DF-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 8300pF @ 20V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 10-PolarPAK® (L) |
| Упаковка / чехол | 10-PolarPAK® (L) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SIE810DF | VISHAY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SIE810DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | подробности |
|
SIE810DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK | подробности |
|
SIE812DF | VISHAY | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET | подробности |
|
SIE812DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK | подробности |
|
SIE812DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK | подробности |
|
SIE816DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK | подробности |
|
SIE816DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK | подробности |
|
SIE818DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK | подробности |
|
SIE818DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK | подробности |
