SIB912DK-T1-GE3 Подробное описание
| номер части |
SIB912DK-T1-GE3 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET |
Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
1.5A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
3nC @ 8V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
95pF @ 10V |
| Мощность - макс. |
3.1W |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Упаковка / чехол |
PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Пакет устройств поставщика |
PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIB912DK-T1-GE3
