SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3 - Vishay Siliconix

номер части
SIB422EDK-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SIB422EDK-T1-GE3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
135847 pcs
Справочная цена
USD 0.1876/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3 Подробное описание

номер части SIB422EDK-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SC-75-6L Single
Упаковка / чехол PowerPAK® SC-75-6L
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SIB422EDK-T1-GE3